Jeking Electronic Limited

HK1 ปี

5/5(2)

คะแนนร้านค้า

≤2h

เวลาในการตอบกลับ

≥100%

อัตราการจัดส่งตรงเวลา

50%

อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: ตุรกี/ทูร์เคีย, บราซิล, ลิทัวเนีย, อินโดนีเซีย, สหรัฐอเมริกา

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

โมดูลอินเวอร์เตอร์ 3 เฟส Jeking IGBT 1200 โวลต์ 200 แอมป์ โมดูล IGBT 3 ระดับ F3L200R12W2H3-B11

Name: โมดูลอินเวอร์เตอร์ 3 เฟส Jeking Igbt 1200 โวลต์ 200 แอมป์ โมดูล Igbt 3 ระดับ F3l200r12w2h3-b11 - Buy Product on Alibaba.com
Brand: Jeking Electronic Limited
SKU: 1601953268538
Price: 58.4 USD
Availability: InStock

ยังไม่มีรีวิว

฿2,006.26-2,305.13

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 5 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

ICPB1005-1-110I

ชนิด

MOSFET

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์

สถานที่กำเนิด

Guangdong,China

Shipping

Select shipping

ยอดรวมสินค้า: ฿0.00 - ฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด: รอการต่อรอง

ยอดรวมย่อย

฿0.00 - ฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

ICPB1005-1-110I

ชนิด

MOSFET

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์

สถานที่กำเนิด

Guangdong,China

แพคเกจ/กรณี

อุณหภูมิในการทำงาน

- 40 องศาเซลเซียส, + 150 องศาเซลเซียส

Series

F3L200R12W2H3-B11 เอฟ3แอล200อาร์12ดับเบิลยู2เอช3-บี11

รหัสวันที่ผลิต

2505

ใบสมัคร

ประเภทผู้ผลิต

ตัวแทน, ODM, ผู้ผลิตดั้งเดิม

อ้างอิง

Media ม

ภาพถ่าย, เอกสารข้อมูลสินค้า

Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)

แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)

VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic

Current-Collector CUTOFF (MAX)

DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE

Power-MAX

ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน

ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)

ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)

FET ประเภท

FET คุณลักษณะ

มาตรฐาน

ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)

Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C

Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id

ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

ความถี่

การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)

รูปเสียงรบกวน

Power-เอาต์พุต

แรงดันไฟฟ้า

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)

VGS (MAX)

IGBT ประเภท

โมดูล IGBT

การกำหนดค่า

VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC

ความจุอินพุต (Cies) @ VCE

อินพุต

NTC Thermistor

แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)

Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX

แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id

ความต้านทาน-RDS (On)

แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต

แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)

Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)

Current-Valley (IV)

Current-Peak

ประเภททรานซิสเตอร์

โมดูล IGBT

ประเภทการติดตั้ง

หมายเลขชิ้นส่วน:

F3L200R12W2H3-B11 เอฟ3แอล200อาร์12ดับเบิลยู2เอช3-บี11

สินค้า:

โมดูลซิลิคอน IGBT

การกำหนดค่า:

อินเวอร์เตอร์ 3 เฟส

แรงดันไฟฟ้าระหว่างคอลเลคเตอร์และอิมิตเตอร์ (VCEO) สูงสุด:

1.2 กิโลโวลต์

แรงดันอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวปล่อย

1.55 โวลต์

กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 องศาเซลเซียส:

200 แอมป์

กระแสไฟรั่วระหว่างเกตและอิมิตเตอร์

100 นาโนแอมป์

Pd - การกระจายพลังงาน:

๖๐๐ วัตต์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า