find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
25%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, ตุรกี/ทูร์เคีย, เกาหลีใต้, อินเดีย, อาร์เจนตินา

หน่วยความจำในสต็อก 90 TFBGA W989D2DBJX6E TR ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์

ยังไม่มีรีวิว
฿62.41
2,500-5,499 ชิ้น
฿31.38
≥5,500 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

W989D2DBJX6E TR

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

512 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี DRAM 512Mbit LVCMOS 90VFBGA

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
W989D2DBJX6E TR
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
512 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 512Mbit LVCMOS 90VFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-25°ค ~ 85°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี
90-TFBGA 90-TFBGA
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SDRAM - LPSDR สำหรับมือถือ
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
166 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
16เอ็ม x 32
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
แอลวีซีมอส
รูปแบบหน่วยความจำ
ดราม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค