โมดูลหน่วยความจำ 40 DIP รุ่น DS1258W-100 มีสินค้าในสต็อก # ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
128K x 16การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ทะลุรูประเภทการติดตั้ง
DS1258W-100#หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:2 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี NVSRAM 2 เมกะบิต แบบขนาน 40EDIP
ประเภท บรรจุภัณฑ์:กล่อง,กล่อง
อุณหภูมิในการทำงาน:0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี:โมดูล 40-DIP (0.610", 15.495 มม.)
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:3 โวลต์ ~ 3.6 โวลต์
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:100 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:เอ็นวีแรม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128K x 16
ประเภทการติดตั้ง
ทะลุรู
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
DS1258W-100#
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
2 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี NVSRAM 2 เมกะบิต แบบขนาน 40EDIP
ประเภท บรรจุภัณฑ์
กล่อง,กล่อง
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
โมดูล 40-DIP (0.610", 15.495 มม.)
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
3 โวลต์ ~ 3.6 โวลต์
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
100 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอ็นวีแรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
7 - 8 ชิ้น
฿1,134.14
>= 9 ชิ้น
฿567.24
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
