find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤5h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
40%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, อินเดีย, อาร์เจนตินา, เลบานอน

โมดูลหน่วยความจำ 28 DIP รุ่น DS1230AB-85 มีสินค้าในสต็อก ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์

ยังไม่มีรีวิว
฿447.22
16-3,015 ชิ้น
฿223.78
≥3,016 ชิ้น

รหัสวันที่ผลิต

ใหม่

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

DS1230AB-85

ประเภทการติดตั้ง

ทะลุรู

หน่วยความจำขนาด

256 กิโลบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

Finance Service

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
DS1230AB-85
ประเภทการติดตั้ง
ทะลุรู
หน่วยความจำขนาด
256 กิโลบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ,ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
โมดูล 28-DIP (0.600", 15.24 มม.)
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.75V ~ 5.25V
ความถี่นาฬิกา
-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
32,000 x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
85 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอ็นวีแรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค