find similar
≤3h
เวลาในการตอบกลับ
≥92%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
27%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สวีเดน, สโลวาเกีย, ไทย, สหรัฐอเมริกา, อินเดีย

หน่วยความจำในสต็อก 221 VFBGA 08EM08-N3GML36-01B00 ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์

ยังไม่มีรีวิว
฿17.05
100-3,099 ชิ้น
฿8.53
≥3,100 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

08EM08-N3GML36-01B00

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

8 กิกะไบต์ (NAND), 8 กิกะบิต (LPDDR3 DRAM)

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี แฟลช แรม 8 กิกะไบต์ อีเอ็มเอ็มซี 221VFBGA

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
08EM08-N3GML36-01B00
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
8 กิกะไบต์ (NAND), 8 กิกะบิต (LPDDR3 DRAM)
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี แฟลช แรม 8 กิกะไบต์ อีเอ็มเอ็มซี 221VFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน
-25°ค ~ 85°ซี
แพคเกจ/กรณี
221-วีเอฟบีจีเอ
Series
อีเอ็มซีพี
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย, ระเหย
เทคโนโลยี
แฟลช - NAND, DRAM - LPDDR
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.8V, 3.3V 1.8 โวลต์, 3.3 โวลต์
ความถี่นาฬิกา
-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
อีเอ็มเอ็มซี 5.1 HS400 + แอลพีดีดีอาร์3
รูปแบบหน่วยความจำ
แฟลช, แรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค