find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤1h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
16%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, ตุรกี/ทูร์เคีย, อิตาลี, อินเดีย

โมดูลทรานซิสเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ชิปส่วนประกอบ FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 มีสินค้าในสต็อก

ยังไม่มีรีวิว
฿4,757.41
100-3,099 ชิ้น
฿2,378.71
≥3,100 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

ชื่อแบรนด์

Original

ลักษณะ

มอสเฟต 2N-CH 1200V AG-EASY2B

สถานที่กำเนิด

China

แพคเกจ/กรณี

โมดูล

อุณหภูมิในการทำงาน

-40°ค ~ 175°ซี (ทีเจ)

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
ชื่อแบรนด์
Original
ลักษณะ
มอสเฟต 2N-CH 1200V AG-EASY2B
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
โมดูล
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 175°ซี (ทีเจ)
Series
-
รหัสวันที่ผลิต
ใหม่
Power-MAX
20 มิลลิวัตต์
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
1200 โวลต์ (1.2 กิโลโวลต์)
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
170เอ
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
4mOhm @ 200A, 18V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
5.15V @ 80mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
594nC @ 18V 594 นาโนคูลอมบ์ @ 18 โวลต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
17600pF ที่ 800V
การกำหนดค่า
2 N-Channel (Half Bridge)
ประเภทการติดตั้ง
ตัวยึดแชสซี
แพ็คเกจ
ถาด
เทคโนโลยี
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)
การกำหนดค่า
2 ช่องสัญญาณ N (ฮาล์ฟบริดจ์)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค