ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ในสต็อก IS63LV1024-10J-TR 32 BSOJ หน่วยความจำ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
SRAM - อะซิงโครนัสเทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
128Kx8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
1 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:วงจรรวมอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:3V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:10 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SRAM - อะซิงโครนัส
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128Kx8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
วงจรรวมอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
3V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
10 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1,000 - 3,999 ชิ้น
฿31.19
>= 4,000 ชิ้น
฿15.68
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
IS63LV1024 10J ทรี
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
