IS43LR32800H-6BL-TR 90 TFBGA ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ ของแท้
คะแนนร้านค้า :4.6
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
SDRAM - LPDDR สำหรับมือถือเทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
8 ม. x 32การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
256 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:166 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:LVCMOS แอลวีซีเอ็มโอเอส
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SDRAM - LPDDR สำหรับมือถือ
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
8 ม. x 32
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
256 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
166 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
LVCMOS แอลวีซีเอ็มโอเอส
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
2,500 - 5,499 ชิ้น
฿68.68
>= 5,500 ชิ้น
฿34.34
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
IS43LR32800H 6BL ทรี
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
