IMZA65R026M2HXKSA1 สำหรับ MOS FETs 75V 26 โมห์ม G2 ทรานซิสเตอร์ IGBT ประสิทธิภาพสูง สำหรับเครื่องขยายเสียง อะไหล่จากตัวแทนจำหน่าย
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
IMZA65R026M2HXKSA1หมายเลขรุ่น
ทรานซิสเตอร์ชนิด
Infi neonชื่อแบรนด์
ทะลุผ่านรูประเภทแพคเกจ
IMZA65R026M2HXKSAลักษณะ
ORIGINALสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:TO-247-4 ทีโอ-247-4
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series:650V จี2
D/c:ใหม่ล่าสุด
ใบสมัคร:วัตถุประสงค์ทั่วไป
ประเภทผู้ผลิต:ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก
อ้างอิง:ทรานซิสเตอร์
Media ม:เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย, EDA/CAD
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX):มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:มาตรฐาน
Power-MAX:มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง:มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):มาตรฐาน
FET ประเภท:เอ็น-แชนแนล
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):75 โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:80A (ทีซี)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:11mโอห์ม @@ 40A 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @@ 250 ไมโครแอมป์
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:160nC @@ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:3700pF @@ 25V
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):10 โวลต์
VGS (MAX):±20 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:ทะลุผ่านรู
คุณสมบัติที่สำคัญ
หมายเลขรุ่น
IMZA65R026M2HXKSA1
ชนิด
ทรานซิสเตอร์
ชื่อแบรนด์
Infi neon
ประเภทแพคเกจ
ทะลุผ่านรู
ลักษณะ
IMZA65R026M2HXKSA
สถานที่กำเนิด
ORIGINAL
แพคเกจ/กรณี
TO-247-4 ทีโอ-247-4
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series
650V จี2
D/c
ใหม่ล่าสุด
ใบสมัคร
วัตถุประสงค์ทั่วไป
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก
อ้างอิง
ทรานซิสเตอร์
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย, EDA/CAD
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX)
มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
มาตรฐาน
Power-MAX
มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
มาตรฐาน
FET ประเภท
เอ็น-แชนแนล
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
75 โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
80A (ทีซี)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
11mโอห์ม @@ 40A 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
4V @@ 250 ไมโครแอมป์
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
160nC @@ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3700pF @@ 25V
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
10 โวลต์
VGS (MAX)
±20 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง
ทะลุผ่านรู
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 99 ชิ้น
฿441.07
100 - 479 ชิ้น
฿278.60
>= 480 ชิ้น
฿247.82