ชุด UJ4N IMW65R026M2HXKSA1สำหรับ MOSFET 650V 26mOhm ถึง-247-3
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
IMW65R026M2HXKSA1หมายเลขรุ่น
ซิซี มอสเฟตชนิด
ORIGINALชื่อแบรนด์
มาตรฐานประเภทแพคเกจ
IMW65R026M2HXKSA1 ไอเอ็มดับเบิลยู65อาร์026เอ็ม2เอชเอ็กซ์เคเอสเอ1ลักษณะ
originalสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:TO-247-3 ทีโอ-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:มาตรฐาน
Series:ยูเจ4เอ็น
D/c:มาตรฐาน
ใบสมัคร:มาตรฐาน
ประเภทผู้ผลิต:ผู้ผลิตดั้งเดิม
อ้างอิง:มาตรฐาน
Media ม:เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX):มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:มาตรฐาน
Power-MAX:มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง:มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):มาตรฐาน
FET ประเภท:มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ:มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง:มาตรฐาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
หมายเลขรุ่น
IMW65R026M2HXKSA1
ชนิด
ซิซี มอสเฟต
ชื่อแบรนด์
ORIGINAL
ประเภทแพคเกจ
มาตรฐาน
ลักษณะ
IMW65R026M2HXKSA1 ไอเอ็มดับเบิลยู65อาร์026เอ็ม2เอชเอ็กซ์เคเอสเอ1
สถานที่กำเนิด
original
แพคเกจ/กรณี
TO-247-3 ทีโอ-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน
มาตรฐาน
Series
ยูเจ4เอ็น
D/c
มาตรฐาน
ใบสมัคร
มาตรฐาน
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม
อ้างอิง
มาตรฐาน
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX)
มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
มาตรฐาน
Power-MAX
มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
มาตรฐาน
FET ประเภท
มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ
มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง
มาตรฐาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 99 ชิ้น
฿341.03
100 - 239 ชิ้น
฿259.03
>= 240 ชิ้น
฿250.76