5/5(4)
คะแนนร้านค้า
≤10h
เวลาในการตอบกลับ
≥97%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
ตลาดหลัก: อิสราเอล, สหรัฐอเมริกา, ไทย, ฮอนดูรัส, อินโดนีเซีย
ชิปหน่วยความจำ Hynix H5TQ4G63EFR RDI FBGA96 DDR3 512M NAND Flash สำหรับระบบฝังตัว
ยังไม่มีรีวิว
฿228.94
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 10 ชิ้น
*ภาษีและค่าธรรมเนีบมการนำเข้าจะถูกคำนวณขณะชำระเงิน
ข้อมูลจำเพาะ
ประเภทการติดตั้ง
พื้นที่การใช้งาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
สเปค
H5TQ4G63EFR-อาร์ดีไอ
ประเภท บรรจุภัณฑ์
FBGA96 เอฟบีจีเอ96
ฟังก์ชัน
ชิปหน่วยความจำ
อุณหภูมิในการทำงาน
-55150
ชื่อแบรนด์
H5TQ4G63EFR-อาร์ดีไอ
แหล่งผลิต
จีน
การวิเคราะห์และวิจัยเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้
คำนวณต้นทุนและกำไรขั้นต้น
Shipping
Ship from
Select shipping
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
นำส่งผ่าน
คาดว่าคำสั่งซื้อของคุณจะถูกนำส่งก่อนวันที่กำหนดหรือรับการชดเชยความล่าช้า 5%
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
การชำระเงินและการผ่อนชำระ
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
คุณสมบัติที่สำคัญ
สเปค
H5TQ4G63EFR-อาร์ดีไอ
ประเภท บรรจุภัณฑ์
FBGA96 เอฟบีจีเอ96
ฟังก์ชัน
ชิปหน่วยความจำ
อุณหภูมิในการทำงาน
-55150
ชื่อแบรนด์
H5TQ4G63EFR-อาร์ดีไอ
แหล่งผลิต
จีน
ประเภทอินเทอร์เฟซ
แฟลช NAND
หมายเลขรุ่น
H5TQ4G63EFR-อาร์ดีไอ
แบรนด์
ฮิเน็กซ์
ข้อมูลจำเพาะและรุ่น
H5TQ4G63EFR-อาร์ดีไอ
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
10.000X8.000X2.000 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค