find similar
Jeking Electronic Limited logo
Jeking Electronic Limited
HK1 ปี
5/5(2)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
46%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: ตุรกี/ทูร์เคีย, บราซิล, ลิทัวเนีย, อินโดนีเซีย, สหรัฐอเมริกา

ทรานซิสเตอร์ MOSFET คุณภาพสูง ชนิด N-CH 800V 8A TO-220FM รุ่น R8008ANX

ยังไม่มีรีวิว
฿162.85-268.01
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 10 ชิ้น

จำนวน

ตัวเลือกการปรับแต่ง
บรรจุภัณฑ์ (สั่งซื้อขั้นต่ำ : 99,999 ชิ้น )

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

R8008ANX

ชนิด

MOSFET

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

ทะลุรู

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์, MOSFET ชนิด N-CH 800V 8A แพ็คเกจ TO-220FM

สถานที่กำเนิด

Guangdong,China

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00 - ฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00 - ฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
R8008ANX
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
ทะลุรู
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์, MOSFET ชนิด N-CH 800V 8A แพ็คเกจ TO-220FM
สถานที่กำเนิด
Guangdong,China
แพคเกจ/กรณี
TO-220FM-3 ทีโอ-220เอฟเอ็ม-3
อุณหภูมิในการทำงาน
- 55 องศาเซลเซียส, + 150 องศาเซลเซียส
Series
R8008ANX อาร์8008เอเอ็นเอ็กซ์
รหัสวันที่ผลิต
2505
ใบสมัคร
-
ประเภทผู้ผลิต
ODM, ผู้ผลิตดั้งเดิม, ตัวแทน
อ้างอิง
-
Media ม
ภาพถ่าย, เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
-
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-
Current-Collector CUTOFF (MAX)
-
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
-
Power-MAX
-
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
-
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
-
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
-
FET ประเภท
เอ็น-แชนแนล, เอ็น-แชนแนล
FET คุณลักษณะ
มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
800 โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
8เอ (ต้า)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
1.03โอห์ม @ 4A,10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
5V @ 1mA,5V @ 1mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
39nC @ 10V 39 นาโนคูลอมบ์ @ 10 โวลต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1080pF @ 25V
ความถี่
-
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
-
รูปเสียงรบกวน
-
Power-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
10 โวลต์
VGS (MAX)
±30 โวลต์
IGBT ประเภท
ทรานซิสเตอร์ MOSFET
การกำหนดค่า
-
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
-
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
-
อินพุต
-
NTC Thermistor
-
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
-
ความต้านทาน-RDS (On)
-
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
-
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
-
Current-Valley (IV)
-
Current-Peak
-
ประเภททรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์ MOSFET
ประเภทการติดตั้ง
ผ่านรู
หมายเลขชิ้นส่วน
R8008ANX อาร์8008เอเอ็นเอ็กซ์
แรงดันระหว่างเดรนและซอร์ส
800 โวลต์
ปัจจุบัน @ 25°ซี
8เอ (ต้า)
ค่าประจุเกต @ Vgs
39nC @ 10V 39 นาโนคูลอมบ์ @ 10 โวลต์
ค่าความจุอินพุต @ Vds
5V @ 1mA 5 โวลต์ @ 1 มิลลิแอมป์
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
50 วัตต์ (Tc)
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-220FM ทีโอ-220เอฟเอ็ม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

ตัวเลือกการปรับแต่ง

บรรจุภัณฑ์(+ เริ่มต้น /ยอดซื้อขั้นต่ำ : 99,999 ชิ้น )
ดูรายละเอียด

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค