Jeking Electronic Limited

HK1 ปี

5/5(2)

คะแนนร้านค้า

≤2h

เวลาในการตอบกลับ

≥100%

อัตราการจัดส่งตรงเวลา

47%

อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: ตุรกี/ทูร์เคีย, บราซิล, ลิทัวเนีย, อินโดนีเซีย, สหรัฐอเมริกา

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

ทรานซิสเตอร์ MOS คุณภาพสูง 1000V, 65 มิลลิโอห์ม, G3 SIC MOSFET C3M0065100K

Name: ทรานซิสเตอร์ Mos คุณภาพสูง 1000v,65 มิลลิโอห์ม,G3 Sic Mosfet C3m0065100k - Buy Product on Alibaba.com
Brand: Jeking Electronic Limited
SKU: 1601954168327
Price: 13.4 USD
Availability: InStock

ยังไม่มีรีวิว

฿456.93-760.40

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 5 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

C3M0065100K

ชนิด

MOSFET, ทรานซิสเตอร์สนาม

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

ทะลุรู

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์, 1,000 โวลต์, 65 โมห์ม, G3 SIC มอสเฟต

สถานที่กำเนิด

Guangdong,China

Shipping

Select shipping

ยอดรวมสินค้า: ฿0.00 - ฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด: รอการต่อรอง

ยอดรวมย่อย

฿0.00 - ฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

C3M0065100K

ชนิด

MOSFET, ทรานซิสเตอร์สนาม

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

ทะลุรู

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์, 1,000 โวลต์, 65 โมห์ม, G3 SIC มอสเฟต

สถานที่กำเนิด

Guangdong,China

แพคเกจ/กรณี

TO-220-3 ทีโอ-220-3

อุณหภูมิในการทำงาน

Series

C3M0065100K ซี3เอ็ม0065100เค

รหัสวันที่ผลิต

2505

ใบสมัคร

ประเภทผู้ผลิต

ตัวแทน, ODM, ผู้ผลิตดั้งเดิม

อ้างอิง

Media ม

ภาพถ่าย, เอกสารข้อมูลสินค้า

Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)

แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)

VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic

Current-Collector CUTOFF (MAX)

DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE

Power-MAX

ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน

ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)

ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)

FET ประเภท

-, เอ็น-แชนแนล

FET คุณลักษณะ

มาตรฐาน

ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)

Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C

Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id

-,3.5V @ 5mA 3.5 โวลต์ @ 5 มิลลิแอมป์

ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

ความถี่

การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)

รูปเสียงรบกวน

Power-เอาต์พุต

แรงดันไฟฟ้า

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)

VGS (MAX)

IGBT ประเภท

ทรานซิสเตอร์ MOSFET

การกำหนดค่า

VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC

ความจุอินพุต (Cies) @ VCE

อินพุต

NTC Thermistor

แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)

Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX

แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id

ความต้านทาน-RDS (On)

แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต

แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)

Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)

Current-Valley (IV)

Current-Peak

ประเภททรานซิสเตอร์

ทรานซิสเตอร์ MOSFET

ประเภทการติดตั้ง

ผ่านรู

หมายเลขชิ้นส่วน

C3M0065100K ซี3เอ็ม0065100เค

แรงดันระหว่างเดรนและซอร์ส

1,000 โวลต์ (1 กิโลโวลต์)

ปัจจุบัน @ 25°ซี

35A (ทีซี)

ค่าประจุเกต @ Vgs

35nC @ 15V 35 นาโนคูลอมบ์ @ 15 โวลต์

ค่าความจุอินพุต @ Vds

3.5V @ 5mA

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

113.5W (ทีซี)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า