MOSFET N-CH คุณภาพสูง 65C7045 650V 46A TO-220-3 IPP65R045C7 IPP65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH คุณภาพสูง 65C7045 650V 46A TO-220-3 IPP65R045C7 IPP65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH คุณภาพสูง 65C7045 650V 46A TO-220-3 IPP65R045C7 IPP65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH คุณภาพสูง 65C7045 650V 46A TO-220-3 IPP65R045C7 IPP65R045C7XKSA1
find similar
5/5(4)
คะแนนร้านค้า
≤1h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
47%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: ตุรกี/ทูร์เคีย, บราซิล, ลิทัวเนีย, อิสราเอล, สหรัฐอเมริกา

MOSFET N-CH คุณภาพสูง 65C7045 650V 46A TO-220-3 IPP65R045C7 IPP65R045C7XKSA1

ยังไม่มีรีวิว
฿321.01
10-999 ชิ้น
฿235.64
≥1,000 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

IPP65R045C7XKSA1

ชนิด

MOSFET, ทรานซิสเตอร์ไตรโอด

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

ทะลุรู

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์

สถานที่กำเนิด

Johor,Malaysia

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
IPP65R045C7XKSA1
ชนิด
MOSFET, ทรานซิสเตอร์ไตรโอด
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
ทะลุรู
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์
สถานที่กำเนิด
Johor,Malaysia
แพคเกจ/กรณี
TO-220 ทีโอ-220
อุณหภูมิในการทำงาน
-
Series
-
รหัสวันที่ผลิต
2505
ใบสมัคร
-
อ้างอิง
-
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
-
Power-MAX
-
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
-
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
-
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
-
FET ประเภท
เอ็น-แชนแนล
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
650 โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
46เอ (ทีซี)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
45mOhm @ 24.9A,10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
4V @ 1.25mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
ความถี่
-
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
-
รูปเสียงรบกวน
-
Power-เอาต์พุต
--
แรงดันไฟฟ้า
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
10 โวลต์
VGS (MAX)
-
IGBT ประเภท
-
การกำหนดค่า
-
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
-
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
-
อินพุต
-
NTC Thermistor
-
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
-
ความต้านทาน-RDS (On)
-
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
-
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
-
Current-Valley (IV)
-
Current-Peak
-
ประเภททรานซิสเตอร์
-
ประเภทการติดตั้ง
ผ่านรู
หมายเลขชิ้นส่วน
IPP65R045C7XKSA1 ไอพีพี65อาร์045ซี7เอ็กซ์เคเอสเอ1
เทคโนโลยี
MOSFET (โลหะออกไซด์)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค