ตัวแทนจำหน่ายทรานซิสเตอร์หลอดความถี่สูง 2SC2290

ชนิด

ใบสมัคร

ประเภทแพคเกจ

ประเภทการติดตั้ง

FET คุณลักษณะ

การกำหนดค่า

Media ม

ประเภทผู้ผลิต

Power-MAX

แพคเกจ/กรณี

ลักษณะ

หมายเลขรุ่น

ชื่อแบรนด์

สถานที่กำเนิด

อุณหภูมิในการทำงาน

Series

D/c

อ้างอิง

Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)

แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)

VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic

Current-Collector CUTOFF (MAX)

DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE

ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน

ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)

ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)

FET ประเภท

Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C

Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id

ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

ความถี่

รูปเสียงรบกวน

Power-เอาต์พุต

แรงดันไฟฟ้า

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)

VGS (MAX)

IGBT ประเภท

VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC

ความจุอินพุต (Cies) @ VCE

อินพุต

NTC Thermistor

แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)

Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX

แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id

ความต้านทาน-RDS (On)

แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต

แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)

Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)

Current-Valley (IV)

ประเภททรานซิสเตอร์

บริการ

ขายหน่วย

แพคเกจเดียวขนาด