คุณลักษณะ
2N7000หมายเลขรุ่น
MOSFETชนิด
HYSTชื่อแบรนด์
-ประเภทแพคเกจ
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3ลักษณะ
Guangdong, Chinaสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:TO-226-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
Series:Transistor
D/c:-
ใบสมัคร:-
ประเภทผู้ผลิต:Other
อ้างอิง:-
Media ม:EDA/CAD
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):-
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:-
Current-Collector CUTOFF (MAX):-
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:-
Power-MAX:-
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:-
ประเภทการติดตั้ง:ผ่านรู
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):-
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):-
FET ประเภท:N-Channel
FET คุณลักษณะ:-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):60 V
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:350mA (Tc)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:5Ohm @ 500mA, 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250uA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:43 pF @ 25 V
ความถี่:-
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์):-
รูปเสียงรบกวน:-
Power-เอาต์พุต:-
แรงดันไฟฟ้า:-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):4.5V,10V
VGS (MAX):±18V
IGBT ประเภท:-
การกำหนดค่า:-
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC:-
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE:-
อินพุต:-
NTC Thermistor:-
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS):-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX:-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id:-
ความต้านทาน-RDS (On):-
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต:-
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT):-
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao):-
Current-Valley (IV):-
Current-Peak:-
ประเภททรานซิสเตอร์:-
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
Product Name:2N7000
Part Number:Transistors
Type:MOSFET
PAYMENT:T/T
Shipping BY:DHL
Service:Bom List
Quality:100% Original 100% Brand
Other Services:One Stop Bom Service
More Details:Please Consult Us
Operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:XX ซม.
