Hongte Technology Limited

HK1 ปี

5/5(1)

คะแนนร้านค้า

≤3h

เวลาในการตอบกลับ

≥100%

อัตราการจัดส่งตรงเวลา

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, อินเดีย, อินโดนีเซีย, มอริเชียส, สหราชอาณาจักร

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

HT Original New SUPSiC GC2M0040120D TO-247 1200V 55A 80mOhm N-Channel SiC Power MOSFET ของแท้จากโรงงาน รุ่นใหม่ SUPSiC GC2M0040120D TO-247 1200V 55A 80mOhm N-Channel SiC Power MOSFET

ยังไม่มีรีวิว

฿134.02

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 100 ชิ้น

สเปค

ตัวเลือกการปรับแต่ง

บอม+฿34.37/ชิ้น (สั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 ชิ้น )

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

GC2M0040120D

ชนิด

ซีซี โมสเฟต

ชื่อแบรนด์

SUPSiC

ประเภทแพคเกจ

TO-247 ทีโอ-247

ลักษณะ

GC2M0040120D คือ MOSFET กำลังแบบซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ชนิด N-channel SUPSiC 1200V 55A ของแท้ ในแพ็คเกจ TO-247ด้วยค่า Rds(on) ที่ต่ำเป็นพิเศษเพียง 80mOhm, แรงดันไฟฟ้าตัดสูง และค่าประจุเกตต่ำ ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับเครื่องชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า, อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ และแหล่งจ่ายไฟประสิทธิภาพสูง

สถานที่กำเนิด

China

Shipping

Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การส่งคืนง่าย

ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

GC2M0040120D

ชนิด

ซีซี โมสเฟต

ชื่อแบรนด์

SUPSiC

ประเภทแพคเกจ

TO-247 ทีโอ-247

ลักษณะ

GC2M0040120D คือ MOSFET กำลังแบบซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ชนิด N-channel SUPSiC 1200V 55A ของแท้ ในแพ็คเกจ TO-247ด้วยค่า Rds(on) ที่ต่ำเป็นพิเศษเพียง 80mOhm, แรงดันไฟฟ้าตัดสูง และค่าประจุเกตต่ำ ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับเครื่องชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า, อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ และแหล่งจ่ายไฟประสิทธิภาพสูง

สถานที่กำเนิด

China

แพคเกจ/กรณี

TO-247-3 ทีโอ-247-3

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°ค ~ +150°ซี

Series

ซีรีส์ SiC MOSFET

รหัสวันที่ผลิต

ล็อตใหม่ล่าสุด

ใบสมัคร

เครื่องชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า, อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

ประเภทผู้ผลิต

ผู้ผลิตดั้งเดิม

Media ม

มีเอกสารข้อมูล

Power-MAX

278 วัตต์

FET ประเภท

เอ็น-แชนแนล

FET คุณลักษณะ

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)

ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)

1200 โวลต์

Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C

ห้าสิบห้าเอ

Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs

80mOhm ที่ 20V

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id

3.2 โวลต์

ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

120 นาโนคูลอมบ์

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

2.44nF 2.44 นาโนฟารัด

การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)

ห้าสิบห้าเอ

Power-เอาต์พุต

278 วัตต์

แรงดันไฟฟ้า

1200 โวลต์

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)

20 โวลต์

การกำหนดค่า

เดี่ยว

NTC Thermistor

ไม่

ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX

ห้าสิบห้าเอ

ความต้านทาน-RDS (On)

80 มิลลิโอห์ม

ประเภททรานซิสเตอร์

ซีซี โมสเฟต

ประเภทการติดตั้ง

ผ่านรู

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

ตัวเลือกการปรับแต่ง

บอม(+ เริ่มต้น +฿34.37/ชิ้น /ยอดซื้อขั้นต่ำ : 1 ชิ้น )

ดูรายละเอียด

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์

แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์นี้ได้รับคุณสมบัติ/ใบอนุญาตของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้องในบางประเทศ/ประเทศที่บังคับใช้ดูเพิ่มเติม

฿134.02

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 100 ชิ้น

แก้ไขตัวเลือก

สเปค

ตัวเลือกการปรับแต่ง

บอม+฿34.37/ชิ้น (สั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 ชิ้น )

Shipping

Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

การส่งคืนง่าย

การคุ้มครองการคืนเงิน

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก