GD5F4GM8UEYJGR เมมโมรี่8 WDFN แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ช่องผู้ผลิต
คะแนนร้านค้า :4.5
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
แฟลช - แอนด์ (SLC)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
512M x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
4กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวมไอซี
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:133 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:600 ไมโครวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ควอด I/O, DTR
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - แอนด์ (SLC)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
512M x 8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
133 เมกะเฮิรตซ์
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวมไอซี
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
4กิกะบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
600 ไมโครวินาที
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.7V ~ 3.6V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ควอด I/O, DTR
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
3,000 - 5,999 ชิ้น
฿99.46
>= 6,000 ชิ้น
฿49.73
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
GD5F4GM8UEYJGR จีดี5เอฟ4จีเอ็ม8ยูอีวายจีอาร์
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
