ทรานซิสเตอร์ IGW40N120H3 G40H1203 1200V 80A 483W TO247-3ผ่านรู IGBT
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
IGW40N120H3หมายเลขรุ่น
standardชนิด
originalชื่อแบรนด์
throught หลุมประเภทแพคเกจ
standardลักษณะ
Guangdong, Chinaสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:standard
D/c:standard
ใบสมัคร:general
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):standard
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):standard
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:standard
Current-Collector CUTOFF (MAX):standard
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:standard
Power-MAX:standard
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:standard
ประเภทการติดตั้ง:standard
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):standard
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):standard
FET ประเภท:standard
FET คุณลักษณะ:มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):standard
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:standard
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:standard
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:standard
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:standard
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:standard
ความถี่:standard
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์):standard
รูปเสียงรบกวน:standard
Power-เอาต์พุต:standard
แรงดันไฟฟ้า:standard
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):standard
VGS (MAX):standard
IGBT ประเภท:standard
การกำหนดค่า:standard
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC:standard
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE:standard
อินพุต:standard
NTC Thermistor:standard
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS):standard
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0):standard
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX:standard
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id:standard
ความต้านทาน-RDS (On):standard
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต:standard
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT):standard
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao):standard
Current-Valley (IV):standard
Current-Peak:standard
ประเภทการติดตั้ง:standard
Type:IGBT transistor
Description:standard
Voltage:standard
Operating Temperature:standard
Applications:standard
คุณสมบัติที่สำคัญ
หมายเลขรุ่น
IGW40N120H3
ชนิด
standard
ชื่อแบรนด์
original
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
ลักษณะ
standard
สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
แพคเกจ/กรณี
standard
D/c
standard
ใบสมัคร
general
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
standard
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
standard
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
standard
Current-Collector CUTOFF (MAX)
standard
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
standard
Power-MAX
standard
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
standard
ประเภทการติดตั้ง
standard
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
standard
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
standard
FET ประเภท
standard
FET คุณลักษณะ
มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
standard
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
standard
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
standard
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
standard
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
standard
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
standard
ความถี่
standard
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
standard
รูปเสียงรบกวน
standard
Power-เอาต์พุต
standard
แรงดันไฟฟ้า
standard
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
standard
VGS (MAX)
standard
IGBT ประเภท
standard
การกำหนดค่า
standard
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
standard
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
standard
อินพุต
standard
NTC Thermistor
standard
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
standard
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
standard
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
standard
ความต้านทาน-RDS (On)
standard
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
standard
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
standard
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
standard
Current-Valley (IV)
standard
Current-Peak
standard
ประเภทการติดตั้ง
standard
Type
IGBT transistor
Description
standard
Voltage
standard
Operating Temperature
standard
Applications
standard
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 10 ชิ้น
฿126.61
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
