คุณลักษณะ
FQPF15N60Cหมายเลขรุ่น
MOSFETชนิด
Original brandชื่อแบรนด์
throught หลุมประเภทแพคเกจ
Chinaสถานที่กำเนิด
ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก, ผู้ค้าส่งประเภทผู้ผลิต
Media ม:เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX):มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:มาตรฐาน
Power-MAX:มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):มาตรฐาน
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:มาตรฐาน
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:มาตรฐาน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:มาตรฐาน
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:มาตรฐาน
แพ็คเกจ:TO-220F
รหัสวันที่:ใหม่ล่าสุด
สภาพ:ใหม่และดั้งเดิม
ผู้จัดจำหน่าย:Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd.
สถานะปราศจากสารตะกั่ว:ปราศจากสารตะกั่ว/เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS
เวลาจัดส่ง:ภายใน3วัน
การชำระเงิน:TT/สหภาพตะวันตก/escrow/paypal
สไกป์:BXD-อิเล็กทรอนิกส์
แผ่นข้อมูล:โปรดติดต่อเรา
จัดส่งโดย:DHL /ups/tnt/fedex/post
Packaging Details:Cartons, Bags, Reel, etc.
ขายหน่วย:รายการเดียว
Supply Ability:99999 ชิ้น ต่อ Week
