คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
1 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
จำนวนมากประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SRAM - อะซิงโครนัส
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.4V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:128Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:10 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.
