ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ EM6GE08EW8D-10IH 78 VFBGA หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
4กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
ชิปวงจรรวมไอซีคุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM - DDR3
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.425V ~ 1.575V
ความถี่นาฬิกา:933 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:512M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
4กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวมไอซี
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SDRAM - DDR3
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.425V ~ 1.575V
ความถี่นาฬิกา
933 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
512M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 2499 ชิ้น
฿120.58
>= 2500 ชิ้น
฿86.15
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
EM6GE08EW8D 10IH อีเอ็ม6จีอี08อีดับเบิลยู 10ไอเอช
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
