ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ DS1250Y-70 32 DIP โมดูลหน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก
คะแนนร้านค้า :4.5
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
512Kx8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
4 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:หลอด, หลอด
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:วงจรรวมไอซี
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:70 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
512Kx8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
-
คุณสมบัติ
วงจรรวมไอซี
ประเภท บรรจุภัณฑ์
หลอด, หลอด
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
4 เมกะบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
70 นาโนวินาที
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.5V ~ 5.5V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
4 - 3,003 ชิ้น
฿1,287.17
>= 3,004 ชิ้น
฿643.67
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
