find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
33%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, ตุรกี/ทูร์เคีย, เกาหลีใต้, อินเดีย, อาร์เจนตินา

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ 90 TFBGA NDS73PBE-20ET หน่วยความจำ BOM IC มีสินค้าในสต็อก

ยังไม่มีรีวิว
฿79.05
2,090-5,089 ชิ้น
฿39.70
≥5,090 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

NDS73PBE-20ET

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

128 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี DRAM 128Mbit LVTTL 90FBGA

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
NDS73PBE-20ET
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
128 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 128Mbit LVTTL 90FBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
90-TFBGA 90-TFBGA
Series
เอ็นดีเอส73พี
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
เอสดีแรม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
3 โวลต์ ~ 3.6 โวลต์
ความถี่นาฬิกา
200 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
4เอ็ม x 32
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
แอลวีทีทีแอล
รูปแบบหน่วยความจำ
ดราม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค