All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ หน่วยความจำ 96 TFBGA MT41J64M16JT-187E:G ช่องทางผู้ผลิต

ยังไม่มีรีวิว

คุณลักษณะ

SDRAM - DDR3 แรม SDRAM - DDR3เทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
64เอ็ม x 16การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
MT41J64M16JT-187E:Gหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:1 กิกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี DRAM 1Gbit PAR 96FBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน:0°ค ~ 95°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี:96-TFBGA 96-TFBGA แบบฝัง
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.425V ~ 1.575V
ความถี่นาฬิกา:533 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:ดราม

คุณสมบัติที่สำคัญ

เทคโนโลยี
SDRAM - DDR3 แรม SDRAM - DDR3
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
64เอ็ม x 16
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
MT41J64M16JT-187E:G
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
1 กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 1Gbit PAR 96FBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 95°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี
96-TFBGA 96-TFBGA แบบฝัง
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.425V ~ 1.575V
ความถี่นาฬิกา
533 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
ดราม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค
100 - 3,099 ชิ้น
฿27.59
>= 3,100 ชิ้น
฿13.80

รูปแบบ

เลือกเลย

รหัสวันที่ผลิต

ใหม่

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ