ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ หน่วยความจำ 8 UDFN Exposed Pad GD25Q80ENJGR ของแท้ บริการครบวงจร
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
8 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - นอร์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:133 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:1 ม. x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:140 ไมโครวินาที, 4 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
การผลิตวันที่รหัส
ใหม่
หน่วยความจำขนาด
8 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
แฟลช - นอร์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
133 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
1 ม. x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
140 ไมโครวินาที, 4 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
3000 - 5999 ชิ้น
฿8.09
>= 6000 ชิ้น
฿4.05
รูปแบบ
เลือกเลยการจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
