ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ หน่วยความจำ 68 TFBGA HYB18T1G800BF-3S บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
SDRAM - DDR2 แรม SDRAM - DDR2เทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
128เอ็ม x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
HYB18T1G800BF-3Sหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:1 กิกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี DRAM 1Gbit แบบขนาน 68TFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ตัดเทป (CT)
อุณหภูมิในการทำงาน:0°ค ~ 95°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี:68-TFBGA 68-TFBGA
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา:333 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:ดราม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SDRAM - DDR2 แรม SDRAM - DDR2
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128เอ็ม x 8
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
HYB18T1G800BF-3S
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
1 กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 1Gbit แบบขนาน 68TFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ตัดเทป (CT)
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 95°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี
68-TFBGA 68-TFBGA
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา
333 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
ดราม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 3,000 ชิ้น
฿1,222.99
>= 3,001 ชิ้น
฿611.50
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
