ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ หน่วยความจำ 48 VFBGA W29N01HVDINA TR ของแท้
คะแนนร้านค้า :4.5
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
แฟลช - แอนด์ (SLC)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
128M x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
1กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบไอซีอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:40 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:25 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:-
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - แอนด์ (SLC)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128M x 8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
40 เมกะเฮิรตซ์
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบไอซีอิเล็กทรอนิกส์
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
1กิกะบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
25 นาโนวินาที
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.7V ~ 3.6V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
-
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 3,499 ชิ้น
฿64.61
>= 3,500 ชิ้น
฿42.42
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
W29N01HVDINA TR ดับเบิลยู29เอ็น01เอชวีดีเอไอเอ ทีอาร์
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
