ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ หน่วยความจำ 32 SOlC CY14E256LA-SZ45XI ช่องทางผู้ผลิต
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
32,000 x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
CY14E256LA-SZ45XIหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:256 กิโลบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี:32-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม.)
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:45 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:เอ็นวีแรม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
32,000 x 8
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
CY14E256LA-SZ45XI
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
256 กิโลบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
32-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม.)
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
45 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอ็นวีแรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
330 - 3,329 ชิ้น
฿375.63
>= 3,330 ชิ้น
฿187.98
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
