ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ 90 TFBGA IS61WV25632BLL-10BLI หน่วยความจำ ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
8 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
ชุดวงจรรวมคุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SRAM - อะซิงโครนัส
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.4V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256K x 32
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:10 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
8 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ชุดวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SRAM - อะซิงโครนัส
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.4V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
256K x 32
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
10 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
240 - 3239 ชิ้น
฿182.78
>= 3240 ชิ้น
฿91.39
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
IS61WV25632BLL 10BLI ไอเอส61ดับเบิลยูวี25632บีแอลแอล 10บีแอลไอ
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
