ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ 32 ชิ้น โมดูล DIP รุ่น DS1245Y-70IND หน่วยความจำ บริการครบวงจร

ยังไม่มีรีวิว

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 ปี

HK

คุณลักษณะ

NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี

ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ

128,000 x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ

ทะลุรูประเภทการติดตั้ง

DS1245Y-70INDหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

Originalชื่อแบรนด์

หน่วยความจำขนาด:1 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด:China

ลักษณะ:ไอซี NVSRAM 1 เมกะบิต แบบขนาน 32EDIP

ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ

อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 85°ซี (TA)

แพคเกจ/กรณี:โมดูล 32-DIP (0.600", 15.24 มม.)

Series:-

แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V

ความถี่นาฬิกา:-

เขียนรอบเวลา-คำหน้า:70 นาโนวินาที

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน

รูปแบบหน่วยความจำ:เอ็นวีแรม

คุณสมบัติที่สำคัญ

เทคโนโลยี

NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)

ประเภทหน่วยความจำ

ไม่ระเหย

การจัดระเบียบหน่วยความจำ

128,000 x 8

ประเภทการติดตั้ง

ทะลุรู

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

DS1245Y-70IND

ชื่อแบรนด์

Original

หน่วยความจำขนาด

1 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี NVSRAM 1 เมกะบิต แบบขนาน 32EDIP

ประเภท บรรจุภัณฑ์

ท่อ

อุณหภูมิในการทำงาน

-40°ค ~ 85°ซี (TA)

แพคเกจ/กรณี

โมดูล 32-DIP (0.600", 15.24 มม.)

Series

-

แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ

4.5V ~ 5.5V

ความถี่นาฬิกา

-

เขียนรอบเวลา-คำหน้า

70 นาโนวินาที

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ

ขนาน

รูปแบบหน่วยความจำ

เอ็นวีแรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

รายการเดียว

แพคเกจเดียวขนาด

1X1X1 ซม.

เดี่ยวน้ำหนักรวม

0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์

แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม

100 - 3,099 ชิ้น

฿30.10

>= 3,100 ชิ้น

฿15.22

รูปแบบ

เลือกเลย

รหัสวันที่ผลิต

ใหม่

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ