ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ 134 VFBGA EDB1332BDBH-1DAAT-F-D หน่วยความจำ ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
SDRAM - มือถือ LPDDR2เทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
32ม. x 32การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
1กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:จำนวนมาก
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.14V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:533 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SDRAM - มือถือ LPDDR2
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
32ม. x 32
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
1กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
จำนวนมาก
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.14V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
533 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
100 - 3,099 ชิ้น
฿19.01
>= 3,100 ชิ้น
฿9.51
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
EDB1332BDBH 1DAAT F ดี
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
