คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
8K บิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ท่อประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:EEPROM
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:400 กิโลเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256 x 8 x 4
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:5 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:I2C ไอทูซี
