ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ชิปหน่วยความจำ 44 TSOP CY15B102N-ZS60XET ของแท้ บริการครบวงจร
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
FRAM (เฟอร์โรอิเล็กทริก RAM)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
128Kx16การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
2 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:90 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
FRAM (เฟอร์โรอิเล็กทริก RAM)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128Kx16
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
2 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
90 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1,000 - 3,999 ชิ้น
฿331.48
>= 4,000 ชิ้น
฿165.74
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
CY15B102N ZS60XET ซีวาย15บี102เอ็น แซดเอส60อีอีที
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
