คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
2 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม (IC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - ไม่
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.65V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:80 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:3 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
