คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
16 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - ไม่
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:108 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:2 ม. x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:50 ไมโครวินาที, 2.4 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ควอด I/O, QPI
