คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
256 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ไอซี ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM - DDR
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.5V ~ 2.7V
ความถี่นาฬิกา:200เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:16ม.x16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
