find similar
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED logo
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
HK1 ปี
≤3h
เวลาในการตอบกลับ
≥92%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
22%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สวีเดน, สโลวาเกีย, ไทย, สหรัฐอเมริกา, อิสราเอล

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ คอมโพเนนต์ 28 ชิ้น โมดูล DIP รุ่น DS1230AB-120 หน่วยความจำ บริการครบวงจร

ยังไม่มีรีวิว
฿18.55
100-3,099 ชิ้น
฿9.28
≥3,100 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

DS1230AB-120

ประเภทการติดตั้ง

ทะลุรู

หน่วยความจำขนาด

256 กิโลบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
DS1230AB-120
ประเภทการติดตั้ง
ทะลุรู
หน่วยความจำขนาด
256 กิโลบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
โมดูล 28-DIP (0.600", 15.24 มม.)
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.75V ~ 5.25V
ความถี่นาฬิกา
-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
32,000 x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
120 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอ็นวีแรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค