คุณลักษณะ
DTT033N15หมายเลขรุ่น
MOSFETชนิด
Din-Tekชื่อแบรนด์
Surface Mountประเภทแพคเกจ
DTT033N15 ดีทีที033เอ็น15ลักษณะ
Guangdong, Chinaสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:ค่าผ่านทาง
อุณหภูมิในการทำงาน:25°ซี-150°ค
Series:ค่าผ่านทาง
D/c:มาตรฐาน
ใบสมัคร:โหลดสวิทช์
ประเภทผู้ผลิต:ผู้ผลิตดั้งเดิม
Media ม:เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX):มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:มาตรฐาน
Power-MAX:มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):มาตรฐาน
FET ประเภท:มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ:มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):มาตรฐาน
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:มาตรฐาน
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:มาตรฐาน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:มาตรฐาน
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:มาตรฐาน
ความถี่:มาตรฐาน
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์):มาตรฐาน
รูปเสียงรบกวน:มาตรฐาน
Power-เอาต์พุต:มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า:มาตรฐาน
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):มาตรฐาน
VGS (MAX):มาตรฐาน
การกำหนดค่า:มาตรฐาน
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC:มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE:มาตรฐาน
อินพุต:มาตรฐาน
NTC Thermistor:มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS):มาตรฐาน
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0):มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX:มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id:มาตรฐาน
ความต้านทาน-RDS (On):มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต:มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT):มาตรฐาน
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao):มาตรฐาน
Current-Valley (IV):มาตรฐาน
Current-Peak:มาตรฐาน
ประเภททรานซิสเตอร์:ร่องลึก
