ApexCore HK Technology Limited

HK1 ปี

4.7/5(11)

คะแนนร้านค้า

≤8h

เวลาในการตอบกลับ

≥97%

อัตราการจัดส่งตรงเวลา

37%

อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: อิรัก, เลบานอน, สหรัฐอเมริกา, แอฟริกาใต้, เกาหลีใต้

DMN2005LP4K-7 MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN ยี่ห้อใหม่ชิป IC ต้นฉบับในสต็อก

Name: Dmn2005lp4k-7 Mosfet N-ch 20v 200ma 3dfn ยี่ห้อใหม่ชิป Ic ต้นฉบับในสต็อก - Buy Product on Alibaba.com
Brand: ApexCore HK Technology Limited
SKU: 1601770104354
Price: 0.2 USD
Availability: InStock

ยังไม่มีรีวิว

฿6.79-33.93

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 10 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

DMN2005LP4K-7

ชนิด

มอสเฟต

ชื่อแบรนด์

Original

ประเภทแพคเกจ

X2-DFN1006-3 เอ็กซ์2-ดีเอฟเอ็น1006-3

ลักษณะ

ใหม่

สถานที่กำเนิด

Other

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

ยอดรวมสินค้า

฿0.00 - ฿0.00

ค่าจัดส่งทั้งหมด

รอการต่อรอง

ยอดรวมย่อย

฿0.00 - ฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

DMN2005LP4K-7

ชนิด

มอสเฟต

ชื่อแบรนด์

Original

ประเภทแพคเกจ

X2-DFN1006-3 เอ็กซ์2-ดีเอฟเอ็น1006-3

ลักษณะ

ใหม่

สถานที่กำเนิด

Original

แพคเกจ/กรณี

X2-DFN1006-3 เอ็กซ์2-ดีเอฟเอ็น1006-3

อุณหภูมิในการทำงาน

-65°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)

Series

ไอซี

รหัสวันที่ผลิต

ต้นฉบับ

อ้างอิง

ต้นฉบับ

Media ม

เอกสารข้อมูลสินค้า

Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)

ต้นฉบับ

แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)

ต้นฉบับ

VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic

ต้นฉบับ

Current-Collector CUTOFF (MAX)

ต้นฉบับ

DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE

ต้นฉบับ

Power-MAX

ต้นฉบับ

ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน

ต้นฉบับ

ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)

ต้นฉบับ

ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)

ต้นฉบับ

FET ประเภท

ต้นฉบับ

FET คุณลักษณะ

ต้นฉบับ

ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)

ต้นฉบับ

Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C

ต้นฉบับ

Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs

ต้นฉบับ

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id

ต้นฉบับ

ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

ต้นฉบับ

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

ต้นฉบับ

ความถี่

ต้นฉบับ

การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)

ต้นฉบับ

รูปเสียงรบกวน

ต้นฉบับ

Power-เอาต์พุต

ต้นฉบับ

แรงดันไฟฟ้า

ต้นฉบับ

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)

ต้นฉบับ

VGS (MAX)

ต้นฉบับ

IGBT ประเภท

ต้นฉบับ

การกำหนดค่า

ต้นฉบับ

VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC

ต้นฉบับ

ความจุอินพุต (Cies) @ VCE

ต้นฉบับ

อินพุต

ต้นฉบับ

NTC Thermistor

ต้นฉบับ

แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)

ต้นฉบับ

Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

ต้นฉบับ

ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX

ต้นฉบับ

แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id

ต้นฉบับ

ความต้านทาน-RDS (On)

ต้นฉบับ

แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต

ต้นฉบับ

แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)

ต้นฉบับ

Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)

ต้นฉบับ

Current-Valley (IV)

ต้นฉบับ

Current-Peak

ต้นฉบับ

ประเภททรานซิสเตอร์

ต้นฉบับ

ประเภทการติดตั้ง

Original

ชื่อผลิตภัณฑ์

เอ็มซียู

สต็อก

มีสินค้าในสต็อก

ระยะเวลาดำเนินการ

1-7วันทำการ

การจัดส่ง

DHL\ยูพีเอส\FEDEX\EMS

การบรรจุ

บรรจุภัณฑ์เดิม

คุณภาพ

ต้นฉบับ

การรับประกัน

30-120 วัน

ปริมาณมากขึ้น

ราคาต่อรองได้

เอกสารข้อมูล

กรุณาติดต่อเรา

ซัพพลายเออร์

เอเพ็กซ์คอร์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า