สถานที่กำเนิด
China
ความหนาของหน้าสัมผัสด้านหน้า
~6 เมตร
ความหนาของหน้าสัมผัสด้านหลัง
~4 เมตร
วัสดุพื้นฐาน
GalnP2/InGaAs/
ขั้วไฟฟ้า
เอ็น บน พี
ความหนาของเซลล์
175.20 เมตร