คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
2 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
จำนวนมากประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:สแรม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:55 นาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
