All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ NAND512W3A2BN6E 48 TFSOP หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก

ยังไม่มีรีวิว

คุณลักษณะ

ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
512 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - แอนด์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:64M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:50 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
การผลิตวันที่รหัส
ใหม่
หน่วยความจำขนาด
512 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
แฟลช - แอนด์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
64M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
50 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค
576 - 3575 ชิ้น
฿122.44
>= 3576 ชิ้น
฿61.30

รูปแบบ

เลือกเลย

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การสนับสนุนตลอด 24 ชั่วโมงทุกวัน

เข้าถึงศูนย์ช่วยเหลือทางออนไลน์ของเราได้ตลอด 24 ชั่วโมงทุกวันหรือติดต่อขอความช่วยเหลือจากเจ้าหน้าที่

ความเป็นส่วนตัวของข้อมูล

ความเป็นส่วนตัวของข้อมูลของคุณได้รับการปกป้องทั่วทั้ง Alibaba.com ด้วยระบบรักษาความปลอดภัยที่ติดตั้งไว้ในแพลตฟอร์ม