คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
256 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชุดวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM - DDR
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.5V ~ 2.7V
ความถี่นาฬิกา:200 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:32ม. x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.
