All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ หน่วยความจำ 60 TFBGA MT47R512M4EB-25E:C ช่องจำหน่ายของผู้ผลิต

ยังไม่มีรีวิว

คุณลักษณะ

ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
2กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวมไอซี
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM-DDR2
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.55V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา:400เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:512M x 4
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
การผลิตวันที่รหัส
ใหม่
หน่วยความจำขนาด
2กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
วงจรรวมไอซี
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SDRAM-DDR2
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.55V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา
400เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
512M x 4
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค
1000 - 3999 ชิ้น
฿558.19
>= 4000 ชิ้น
฿279.18

รูปแบบ

เลือกเลย

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ