โมดูลหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ 34 พาวเวอร์แคป DS1330YP-70 มีสินค้าในสต็อก
คะแนนร้านค้า :5.0
(1 รีวิว)
คุณลักษณะ
NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
32Kx8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
256 กิโลบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:บอม เซอร์วิส อิเล็กทรอนิกส์ คอมโพเนนต์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:70 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
32Kx8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
256 กิโลบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
บอม เซอร์วิส อิเล็กทรอนิกส์ คอมโพเนนต์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
70 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
40 - 3,039 ชิ้น
฿216.04
>= 3,040 ชิ้น
฿108.02
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
