find similar
≤3h
เวลาในการตอบกลับ
≥85%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
26%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ 32 DIP โมดูล BQ4013YMA-85 ของแท้

ยังไม่มีรีวิว
฿16.75
100-3,099 ชิ้น
฿8.38
≥3,100 ชิ้น

รหัสวันที่ผลิต

ใหม่

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

BQ4013YMA-85

ประเภทการติดตั้ง

ทะลุรู

หน่วยความจำขนาด

1 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี NVSRAM 1 เมกะบิต แบบคู่ขนาน 32DIP โมดูล

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
BQ4013YMA-85
ประเภทการติดตั้ง
ทะลุรู
หน่วยความจำขนาด
1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี NVSRAM 1 เมกะบิต แบบคู่ขนาน 32DIP โมดูล
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
โมดูล 32-DIP (0.610", 15.49 มม.)
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา
-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128,000 x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
85 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอ็นวีแรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค