5/5(2)
คะแนนร้านค้า
≤4h
เวลาในการตอบกลับ
≥96%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
33%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ
ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, สวีเดน, สโลวาเกีย, ญี่ปุ่น, ไทย
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ MT47H128M8SH-25E AAT:M 60 TFBGA หน่วยความจำ ช่องสัญญาณผู้ผลิต
ยังไม่มีรีวิว
฿20.15
100-3,099 ชิ้น
฿10.25
≥3,100 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
MT47H128M8SH-25E AAT:M
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
1 กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 1Gbit แบบขนาน 60FBGA
Shipping
Select shipping
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
การชำระเงินและการผ่อนชำระ
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
MT47H128M8SH-25E AAT:M
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
1 กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 1Gbit แบบขนาน 60FBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 105°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี
60-TFBGA 60-TFBGA ทีเอฟบีจีเอ
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SDRAM - DDR2 แรม SDRAM - DDR2
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา
400 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128เอ็ม x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
ดราม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค