ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ 78 TFBGA MT41J1G4THD-15E:D หน่วยความจำ BOM ไอซี มีสินค้าในสต็อก
คะแนนร้านค้า :4.5
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
SDRAM - DDR3เทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
1G x 4 หนึ่งจีคูณสี่การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
4กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ถาด
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:วงจรรวมอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.425V ~ 1.575V
ความถี่นาฬิกา:667เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SDRAM - DDR3
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
1G x 4 หนึ่งจีคูณสี่
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
667เมกะเฮิรตซ์
คุณสมบัติ
วงจรรวมอิเล็กทรอนิกส์
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
4กิกะบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.425V ~ 1.575V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
100 - 3,099 ชิ้น
฿19.81
>= 3,100 ชิ้น
฿9.91
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
MT41J1G4THD 15E:ด
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
