ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ 28 ชิ้น โมดูล DIP รุ่น DS1225AD-200IND+ หน่วยความจำ ตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
8,000 x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ทะลุรูประเภทการติดตั้ง
DS1225AD-200IND+หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:64 กิโลบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี NVSRAM 64KBIT แบบขนาน 28EDIP
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี:โมดูล 28-DIP (0.600", 15.24 มม.)
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:200 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:เอ็นวีแรม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
8,000 x 8
ประเภทการติดตั้ง
ทะลุรู
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
DS1225AD-200IND+
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
64 กิโลบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี NVSRAM 64KBIT แบบขนาน 28EDIP
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
โมดูล 28-DIP (0.600", 15.24 มม.)
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
200 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอ็นวีแรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 3,000 ชิ้น
฿700.20
>= 3,001 ชิ้น
฿350.27
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
